Control Gate에 특정 전압을 가해 Floating Gate에 전자를 채우거나 비운다.
Program(Write) operations and Read operations take place at the page level.
An erase operation on a flash chip clears the data from all pages in the block, so if some of the other pages contain active data (stuff you want to keep) you either have to copy it elsewhere first or hold off from doing the erase.
플래시메모리에서는 데이터의 덮어쓰기가 불가능하다. 플래시메모리에 데이터를 덮어쓰기 위해서는 먼저 데이터를 지워야한다. 즉, 메모리 셀들을 쓰기 가능한 초기상태로 되돌려놓아야 한다. 이러한 작업을 지우기(erase)라고 한다. 지우기는 일반적으로 쓰기에 비해 매우 긴 시간이 소요된다. 더욱이, 지우기는 쓰기보다 훨씬 큰 블록 단위로 수행되기 때문에 쓰기가 요청되지 않은 부분까지 함께 지워지는 결과를 초래할 수 있다. 따라서 플래시 메모리를 기반으로 한 저장장치의 설계에 있어서 쓰기의 성능개선은 핵심기술에 해당된다.
If you were to erase the block every time you wanted to change the contents of a page, your flash would wear out very quickly. (NAND flash wear-out is the breakdown of the oxide layer within the floating gate transistors of NAND flash memory.)
a far better alternative is to simply mark the old page (containing the unchanged data) as INVALID and then write the new, changed data to an empty page. All that is required now is a mechanism for pointing any subsequent access operations to the new page and a way of tracking invalid pages so that, at some point, they can be “recycled”.
This “mechanism” is known as the Flash Translation Layer and it has responsibility for these tasks as well as a number of others.
